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BeNano 180 Zeta Max檢測二氧化硅拋光液濃度

更新時(shí)間:2025-06-09      點(diǎn)擊次數(shù):1045

關(guān)鍵詞:濃度測試紮實、體積分?jǐn)?shù)重要的、數(shù)量濃度取得了一定進展、CMP拋光液

氧化硅拋光液廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域互動互補,其濃度對工藝效果至關(guān)重要核心技術體系,尤其是在涂覆、蝕刻和沉積過程中力度。通過精確檢測濃度新產品,可確保工藝的穩(wěn)定性和可靠性。濃度檢測還有助于優(yōu)化顆粒的分散狀態(tài)和溶液性能:濃度過高可能引起顆粒聚集持續發展,降低分散穩(wěn)定性更加廣闊;濃度過低則可能導(dǎo)致膜層覆蓋不足,影響工藝質(zhì)量合作。

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丹東百特最新推出的BeNano 180 Zeta Max納米粒度及Zeta電位分析儀,集沉降、折射率勇探新路、濃度于一體檢測長遠所需。其中,檢測顆粒物濃度可以通過多種手段進(jìn)行擴大,例如散射法非常完善、光阻法、電阻法等等讓人糾結,通過一種結(jié)合消光法不斷完善、米理論和動態(tài)光散射的方法LEDLS可以檢測一個(gè)寬泛的粒徑范圍內(nèi)的顆粒物的體積分?jǐn)?shù)和數(shù)量濃度信息。LEDLS作為百特的專利濃度測試技術(shù)全面革新,不需要甲苯進(jìn)行出廠前的校正勞動精神,使用簡便,支持單角度檢測濃度能力空間廣闊,不受光源衰減的限制約定管轄。


 

本應(yīng)用報(bào)告利用百特BeNano 180 Zeta Max 納米粒度及 Zeta 電位分析儀,對二氧化硅拋光液的粒徑和濃度進(jìn)行了表征集成技術。

 

原理和設(shè)備

實(shí)驗(yàn)采用BeNano 180 Zeta Max進(jìn)行測試新創新即將到來,該儀器配備波長為671nm、功率為50mW的固體激光器作為光源創新的技術。激光入射光束照射到樣品池中的樣品設計能力,在173°角度通過連接光纖的APD檢測器接收樣品的散射光信號,同時(shí)在0°方向放置PD檢測器有序推進,用于檢測透射激光強(qiáng)度適應性。測試使用了PS可拋棄樣品池作為檢測池。

驗(yàn)證過程中使用的氧化硅球光學(xué)參數(shù)為折射率1.45深入開展,吸收率0.0001更優美。每個(gè)樣品測試三次需求,取三次結(jié)果的平均值。
 

樣品制備和測試條件

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圖1. 氧化硅原液(左)和70℃烘干3h(右)

該氧化硅拋光液是由水和氧化硅組成的混合物更為一致。為測定氧化硅的理論體積分?jǐn)?shù)各方面,取1mL溶液倒在空白錫箔紙上,初始總質(zhì)量為1561.5mg落地生根。將其置于70℃烘箱中烘干3小時(shí)占,直到質(zhì)量不再減少,水分完全蒸發(fā)成效與經驗。烘干后稱得總質(zhì)量為972.3mg更讓我明白了,根據(jù)其密度計(jì)算得出氧化硅的理論體積分?jǐn)?shù)為41%v/v。

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圖2. 不同濃度的氧化硅拋光液

本實(shí)驗(yàn)使用10mM NaCl作為稀釋液提供了有力支撐,制備了不同理論濃度的氧化硅溶液飛躍,分別為稀釋100倍(0.41% v/v)、1000倍(0.041% v/v)和10000倍(0.0041% v/v)積極。通過DLS測量其粒徑最為突出,并利用LEDLS測定其濃度,分析不同濃度下的結(jié)果特點。

 

測試結(jié)果和討論

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圖3. 不同濃度氧化硅的粒徑分布曲線

使用BeNano 180 Zeta Max對氧化硅球進(jìn)行粒徑表征。圖3展示了不同濃度下氧化硅球的光強(qiáng)分布曲線,從圖中可以看出樣品均為單峰分布意見征詢,三個(gè)濃度下的粒徑非常接近組成部分,這表明稀釋過程對粒徑?jīng)]有影響,樣品的穩(wěn)定性在稀釋過程中得以保持發揮重要帶動作用。

表1. 不同濃度的氧化硅DLS測試數(shù)據(jù)

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表1為不同濃度氧化硅的Z-均粒徑和PDI測試結(jié)果開拓創新。數(shù)據(jù)表明該氧化硅的平均粒徑約130nm,PDI(多分散指數(shù))均小于0.05明確了方向,顯示樣品在這三個(gè)濃度下均為窄分布的單分散狀態(tài)去完善。

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圖4. 氧化硅的實(shí)測數(shù)量濃度統(tǒng)計(jì)結(jié)果

使用 BeNano 180 Zeta Max對氧化硅球進(jìn)行濃度表征。圖4為不同稀釋倍數(shù)下130nm氧化硅球的數(shù)量濃度統(tǒng)計(jì)結(jié)果必然趨勢。橫坐標(biāo)為通過DLS技術(shù)測得的體積加權(quán)粒徑設備,縱坐標(biāo)為通過LEDLS技術(shù)測得的數(shù)量濃度值。

該氧化硅樣品的理論體積分?jǐn)?shù)分別為0.41%文化價值、0.041%和0.0041%促進善治,理論數(shù)量濃度為3.56E+12、3.56E+11和3.56E+10單產提升。LEDLS的檢測結(jié)果顯示求索,實(shí)測體積分?jǐn)?shù)為0.4289%、0.0373%和0.0038%,數(shù)量濃度分別為4.94E+12性能穩定、4.01E+11和4.56E+10試驗。通過對比可以看出,三個(gè)濃度下樣品的粒徑保持一致數字化,實(shí)測數(shù)量濃度與稀釋倍數(shù)變化呈現(xiàn)良好的線性相關(guān)性進行探討,比例接近10倍。

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圖5. 氧化硅理論濃度與使用BeNano測得的濃度對比結(jié)果提供有力支撐。短劃線表示理論值與實(shí)測值完全一致,點(diǎn)虛線表示1.5倍偏差范圍。

適合顆粒物濃度測試的粒徑和濃度范圍依賴于樣品粒徑以及對光的散射和吸收能力越來越重要。通常來說,適中粒徑樣品(100-400nm)具有較寬泛的適合濃度測試的濃度范圍優化上下。從圖5可以看出改革創新,對于130nm左右的氧化硅球,在濃度范圍1E+10個(gè)/mL至1E+12個(gè)/mL范圍內(nèi)測試結(jié)果與理論濃度值一致性較好發揮重要作用。

 

結(jié)論

本應(yīng)用報(bào)告展示了 BeNano 180 Zeta Max 在利用LEDLS方法檢測氧化硅拋光液濃度方面的優(yōu)勢自行開發。LEDLS技術(shù)具備樣品制備簡單、測量快速的特點(diǎn)取得顯著成效,檢測結(jié)果表明對于粒徑約 130nm 的氧化硅處理方法,在適合的濃度范圍內(nèi),顆粒濃度檢測結(jié)果與理論值較為一致要求,表現(xiàn)出良好的測量準(zhǔn)確性。

 

 

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